Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
НОВА часть #:
312-2283907-G2R1000MT33J
Производитель:
Номер детали производителя:
G2R1000MT33J
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-263-7 | |
| Базовый номер продукта | G2R1000 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G2R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 2mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +20V, -5V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 3300 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 238 pF @ 1000 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 74W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G2R1000MT33J |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
GAP3SLT33-214GeneSiC Semiconductor
STE07DE220STMicroelectronics
IXTA1N200P3HVIXYS
G2R1000MT17JGeneSiC Semiconductor
IMBF170R650M1XTMA1Infineon Technologies- GB05MPS33-263GeneSiC Semiconductor
SCT2H12NYTBRohm Semiconductor- G2R120MT33JGeneSiC Semiconductor
BSP324H6327XTSA1Infineon Technologies
G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
C2M1000170JWolfspeed, Inc.
G2R50MT33KGeneSiC Semiconductor
