IMBF170R450M1XTMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

НОВА часть #:

312-2289835-IMBF170R450M1XTMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IMBF170R450M1XTMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1700 V 9.8A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7
Базовый номер продукта	IMBF170
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	CoolSiC™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	12V, 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 2A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.7V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	11 nC @ 12 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)	+20V, -10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1700 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	610 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	107W (Tc)
Другие имена	448-IMBF170R450M1XTMA1TR 448-IMBF170R450M1XTMA1DKR 448-IMBF170R450M1XTMA1CT SP002739682