SIA414DJ-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

НОВА часть #:

312-2282456-SIA414DJ-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIA414DJ-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта	SIA414
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	32 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SC-70-6
VGS (макс.)	±5V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	8 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1800 pF @ 4 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Другие имена	SIA414DJ-T1-GE3CT SIA414DJ-T1-GE3DKR SIA414DJT1GE3 SIA414DJ-T1-GE3TR