SIAA02DJ-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK

НОВА часть #:

312-2290117-SIAA02DJ-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIAA02DJ-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта	SIAA02
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	22A (Ta), 52A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SC-70-6
VGS (макс.)	+12V, -8V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1250 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Другие имена	742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!