Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
НОВА часть #:
312-2280339-SI2342DS-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI2342DS-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SI2342 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15.8 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±5V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 8 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1070 pF @ 4 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Tc) | |
| Другие имена | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3DKR SI2342DS-T1-GE3CT SI2342DS-T1-GE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SN74LVC1G04DBVTTexas Instruments
SN74LVC2G08IDCTRQ1Texas Instruments
BSN20-7Diodes Incorporated
MC74HC73ADR2Gonsemi- DMN3023L-7Diodes Incorporated
