IPT020N10N5ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF

НОВА часть #:

312-2283563-IPT020N10N5ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPT020N10N5ATMA1

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-HSOF-8-1
Базовый номер продукта	IPT020
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	31A (Ta), 260A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.8V @ 202µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerSFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	11000 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	273W (Tc)
Другие имена	448-IPT020N10N5ATMA1DKR SP003883410 448-IPT020N10N5ATMA1TR 448-IPT020N10N5ATMA1CT