IAUT200N08S5N023ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF

НОВА часть #:

312-2289719-IAUT200N08S5N023ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IAUT200N08S5N023ATMA1

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-HSOF-8-1
Базовый номер продукта	IAUT200
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™-5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	200A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.8V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerSFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	7670 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	200W (Tc)
Другие имена	IAUT200N08S5N023ATMA1TR IAUT200N08S5N023CT-ND IAUT200N08S5N023DKR IAUT200N08S5N023TR-ND IAUT200N08S5N023 2156-IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023DKR-ND IAUT200N08S5N023ATMA1DKR IAUT200N08S5N023ATMA1CT IAUT200N08S5N023CT IFEINFIAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023TR SP001688332