IPT026N10N5ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF

НОВА часть #:

312-2298776-IPT026N10N5ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPT026N10N5ATMA1

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 27A (Ta), 202A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-HSOF-8-1
Базовый номер продукта	IPT026
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	27A (Ta), 202A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.8V @ 158µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerSFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	8800 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	214W (Tc)
Другие имена	448-IPT026N10N5ATMA1DKR 448-IPT026N10N5ATMA1TR SP003883420 448-IPT026N10N5ATMA1CT