Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
TK60S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
НОВА часть #:
312-2288059-TK60S10N1L,LXHQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK60S10N1L,LXHQ
Стандартный пакет:
2,000
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 60A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK+ | |
| Базовый номер продукта | TK60S10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.11mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4320 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 180W (Tc) | |
| Другие имена | TK60S10N1L,LXHQ(O 264-TK60S10N1LLXHQDKR 264-TK60S10N1LLXHQTR 264-TK60S10N1LLXHQCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD40NF10STMicroelectronics
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and Storage
TK5R1P08QM,RQToshiba Semiconductor and Storage- STD70N10F4STMicroelectronics
SQD50N10-8M9L_GE3Vishay Siliconix
BUK7Y7R8-80EXNexperia USA Inc.- TK33S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and Storage
SQR70090ELR_GE3Vishay Siliconix
