SQD50N10-8M9L

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SQD50N10-8M9L_GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA

НОВА часть #:

312-2282435-SQD50N10-8M9L_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQD50N10-8M9L_GE3

Стандартный пакет:

2,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	SQD50
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	50A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2950 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	136W (Tc)
Другие имена	SQD50N10-8M9L_GE3TR SQD50N10-8M9L_GE3DKR SQD50N10-8M9L_GE3CT