Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
TK60F10N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
НОВА часть #:
312-2273509-TK60F10N1L,LXGQ
Производитель:
Номер детали производителя:
TK60F10N1L,LXGQ
Стандартный пакет:
1,000
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 60A (Ta) 205W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220SM(W) | |
| Базовый номер продукта | TK60F10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 60A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.11mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4320 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 205W (Tc) | |
| Другие имена | 264-TK60F10N1LLXGQDKR 264-TK60F10N1LLXGQCT 264-TK60F10N1LLXGQTR TK60F10N1L,LXGQ(O |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
XPW6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
