Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
FCH023N65S3L4
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
НОВА часть #:
312-2283891-FCH023N65S3L4
Производитель:
Номер детали производителя:
FCH023N65S3L4
Стандартный пакет:
450
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 | |
| Базовый номер продукта | FCH023 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | SuperFET® III | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 75A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 37.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 7.5mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 222 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-4 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7160 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 595W (Tc) | |
| Другие имена | FCH023N65S3L4-ND FCH023N65S3L4OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTHL019N65S3Honsemi
IPZ65R019C7XKSA1Infineon Technologies- FCH029N65S3-F155onsemi
NTH4L045N065SC1onsemi- FCH023N65S3-F155onsemi
OPA320AIDBVRTexas Instruments
IPZ60R017C7XKSA1Infineon Technologies
SCT3030ALGC11Rohm Semiconductor
IPW60R024CFD7XKSA1Infineon Technologies
C3M0015065KWolfspeed, Inc.
UJ4SC075011K4SUnitedSiC
SCT3060ARC14Rohm Semiconductor
