NTH4L045N065SC1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

НОВА часть #:

312-2272547-NTH4L045N065SC1

Производитель:

Номер детали производителя:

NTH4L045N065SC1

Стандартный пакет:

450

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4L

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	55A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.3V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	105 nC @ 18 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-4
VGS (макс.)	+22V, -8V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1870 pF @ 325 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	187W (Tc)
Другие имена	488-NTH4L045N065SC1 488-NTH4L045N065SC1CT 488-NTH4L045N065SC1TR 488-NTH4L045N065SC1DKR 488-NTH4L045N065SC1TR-ND 488-NTH4L045N065SC1CT-ND 488-NTH4L045N065SC1DKR-ND