IPZ65R019C7XKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

НОВА часть #:

312-2265016-IPZ65R019C7XKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPZ65R019C7XKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-4
Базовый номер продукта	IPZ65R019
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	CoolMOS™ C7
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	75A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 2.92mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	215 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-4
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	9900 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	446W (Tc)
Другие имена	SP001024002