BSZ123N08NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON

НОВА часть #:

312-2282223-BSZ123N08NS3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSZ123N08NS3GATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Базовый номер продукта	BSZ123
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	80 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1700 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 66W (Tc)
Другие имена	BSZ123N08NS3GINCT-ND BSZ123N08NS3GATMA1CT BSZ123N08NS3GINTR-ND BSZ123N08NS3GXT BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GINTR BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3GATMA1TR SP000443632 BSZ123N08NS3GINCT BSZ123N08NS3GATMA1DKR BSZ123N08NS3GINDKR-ND BSZ123N08NS3GINDKR