BSZ086P03NS3EGATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

НОВА часть #:

312-2361540-BSZ086P03NS3EGATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSZ086P03NS3EGATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Базовый номер продукта	BSZ086
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.1V @ 105µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	57.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±25V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4785 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Другие имена	BSZ086P03NS3E GCT-ND BSZ086P03NS3EGATMA1DKR BSZ086P03NS3EG BSZ086P03NS3EGATMA1CT BSZ086P03NS3E G-ND SP000473016 BSZ086P03NS3E GDKR-ND BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3E GCT BSZ086P03NS3E GDKR BSZ086P03NS3E GTR-ND BSZ086P03NS3EGATMA1TR