BSZ097N04LSGATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON

НОВА часть #:

312-2282647-BSZ097N04LSGATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSZ097N04LSGATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 40 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Базовый номер продукта	BSZ097
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	12A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 14µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1900 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Другие имена	BSZ097N04LS G BSZ097N04LSGINTR BSZ097N04LSGATMA1TR SP000388296 BSZ097N04LSG BSZ097N04LSGXT BSZ097N04LSGATMA1CT BSZ097N04LSGINCT BSZ097N04LSGINTR-ND BSZ097N04LSGINCT-ND BSZ097N04LSGATMA1DKR BSZ097N04LSGINDKR-ND