ISC027N10NM6ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

НОВА часть #:

312-2277782-ISC027N10NM6ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

ISC027N10NM6ATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 23A (Ta), 192A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8 FL
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	23A (Ta), 192A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.3V @ 116µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	72.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5500 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3W (Ta), 217W (Tc)
Другие имена	448-ISC027N10NM6ATMA1CT 448-ISC027N10NM6ATMA1DKR SP005339566 448-ISC027N10NM6ATMA1TR