BSC0802LSATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON

НОВА часть #:

312-2263293-BSC0802LSATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSC0802LSATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-7
Базовый номер продукта	BSC0802
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™ 5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	20A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.3V @ 115µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	46 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6500 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	156W (Tc)
Другие имена	SP001614074 448-BSC0802LSATMA1CT 448-BSC0802LSATMA1DKR 448-BSC0802LSATMA1TR