BSC16DN25NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

НОВА часть #:

312-2282044-BSC16DN25NS3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSC16DN25NS3GATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-5
Базовый номер продукта	BSC16DN25
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	10.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 32µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	11.4 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	250 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	920 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	62.5W (Tc)
Другие имена	BSC16DN25NS3GTR-ND BSC16DN25NS3GDKR BSC16DN25NS3GATMA1DKR BSC16DN25NS3GATMA1TR BSC16DN25NS3GCT BSC16DN25NS3GTR SP000781782 BSC16DN25NS3GATMA1CT BSC16DN25NS3GCT-ND BSC16DN25NS3G BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GDKR-ND