Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
XPW6R30ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
НОВА часть #:
312-2268530-XPW6R30ANB,L1XHQ
Производитель:
Номер детали производителя:
XPW6R30ANB,L1XHQ
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 175°C | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-DSOP Advance | |
| Базовый номер продукта | XPW6R30 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVIII-H | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 45A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 22.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 500µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3240 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 960mW (Ta), 132W (Tc) | |
| Другие имена | XPW6R30ANB,L1XHQ(O 264-XPW6R30ANBL1XHQCT 264-XPW6R30ANBL1XHQTR 264-XPW6R30ANBL1XHQDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and Storage
CSD19537Q3Texas Instruments
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
XPH6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
