STH2N120K5-2AG

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2

НОВА часть #:

312-2297890-STH2N120K5-2AG

Производитель:

Номер детали производителя:

STH2N120K5-2AG

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1200 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount H2Pak-2

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	STMicroelectronics
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	H2Pak-2
Базовый номер продукта	STH2N120
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	5.3 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	124 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	60W (Tc)
Другие имена	497-STH2N120K5-2AGDKR 497-STH2N120K5-2AGTR 497-STH2N120K5-2AGCT