Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
НОВА часть #:
312-2305972-IXTY1R4N120PHV
Производитель:
Номер детали производителя:
IXTY1R4N120PHV
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | IXTY1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Polar | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.4A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13Ohm @ 700mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 100µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 666 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 86W (Tc) |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTA06N120PIXYS
IXTY02N120P-TRLIXYS
IXTH1N200P3IXYS
STFW3N150STMicroelectronics
STH2N120K5-2AGSTMicroelectronics
IXTY02N120PIXYS
