NVBG020N120SC1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

НОВА часть #:

312-2283955-NVBG020N120SC1

Производитель:

Номер детали производителя:

NVBG020N120SC1

Стандартный пакет:

800

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D2PAK-7
Базовый номер продукта	NVBG020
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	8.6A (Ta), 98A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.3V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	220 nC @ 20 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)	+25V, -15V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2943 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.7W (Ta), 468W (Tc)
Другие имена	488-NVBG020N120SC1CT 488-NVBG020N120SC1DKR 488-NVBG020N120SC1TR