G3R30MT12J

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

НОВА часть #:

312-2263618-G3R30MT12J

Производитель:

Номер детали производителя:

G3R30MT12J

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1200 V 96A (Tc) 459W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263-7
Базовый номер продукта	G3R30
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	G3R™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	96A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.69V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	155 nC @ 15 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)	±15V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3901 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	459W (Tc)
Другие имена	1242-G3R30MT12J