Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
НОВА часть #:
312-2297764-SCTH70N120G2V-7
Производитель:
Номер детали производителя:
SCTH70N120G2V-7
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 90A (Tc) 469W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | H2PAK-7 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.9V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 18 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| VGS (макс.) | +22V, -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3540 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 469W (Tc) | |
| Другие имена | 497-SCTH70N120G2V-7DKR 497-SCTH70N120G2V-7TR 497-SCTH70N120G2V-7CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SCTW70N120G2VSTMicroelectronics
G3R40MT12JGeneSiC Semiconductor
NTBG020N090SC1onsemi
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronics
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon Technologies- G3R30MT12JGeneSiC Semiconductor
