Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
НОВА часть #:
312-2263638-G3R20MT12K
Производитель:
Номер детали производителя:
G3R20MT12K
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 1200 V 128A (Tc) 542W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-4 | |
| Базовый номер продукта | G3R20 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | G3R™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 128A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.69V @ 15mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 219 nC @ 15 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-4 | |
| VGS (макс.) | ±15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5873 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 542W (Tc) | |
| Другие имена | 1242-G3R20MT12K |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
C3M0021120KWolfspeed, Inc.
NTHL020N120SC1onsemi
MSC025SMA120B4Microchip Technology
NTH4L015N065SC1onsemi
UF3SC065007K4SUnitedSiC- UF3SC120009K4SUnitedSiC
G3R20MT17KGeneSiC Semiconductor- UJ4SC075006K4SUnitedSiC
G3R40MT12DGeneSiC Semiconductor- C3M0016120KWolfspeed, Inc.
- NVHL020N120SC1onsemi
NTH4L020N120SC1onsemi- G3R30MT12KGeneSiC Semiconductor
- NTH4L040N120SC1onsemi
