IPB117N20NFDATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3

НОВА часть #:

312-2283535-IPB117N20NFDATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB117N20NFDATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3-2
Базовый номер продукта	IPB117
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	84A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6650 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Другие имена	IPB117N20NFDATMA1-ND IPB117N20NFDATMA1CT IPB117N20NFDATMA1TR IPB117N20NFDATMA1DKR SP001107232