IPB073N15N5ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3

НОВА часть #:

312-2289715-IPB073N15N5ATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB073N15N5ATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3-2
Базовый номер продукта	IPB073
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™-5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	114A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.3mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.6V @ 160µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4700 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	214W (Tc)
Другие имена	IPB073N15N5ATMA1DKR IPB073N15N5ATMA1TR SP001180660 IPB073N15N5ATMA1CT IPB073N15N5ATMA1-ND