SPB20N60C3ATMA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
Número da pe?a NOVA:
312-2283537-SPB20N60C3ATMA1
Número da pe?a do fabricante:
SPB20N60C3ATMA1
Embalagem padr?o:
1,000

Formato de download disponível

N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteInfineon Technologies
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TO263-3-2
Número do produto base SPB20N60
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesCoolMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 20.7A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 208W (Tc)
Outros nomesSPB20N60C3INTR-ND
SPB20N60C3ATMA1DKR
SPB20N60C3INCT-ND
SPB20N60C3INDKR-ND
SPB20N60C3ATMA1CT
SPB20N60C3INCT
SPB20N60C3XT-ND
SP000013520
SPB20N60C3
SPB20N60C3XT
SPB20N60C3INTR
SPB20N60C3INDKR
SPB20N60C3ATMA1TR

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!