SPB17N80C3ATMA1

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MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3

Número da pe?a NOVA:

312-2283484-SPB17N80C3ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SPB17N80C3ATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3-2
Número do produto base	SPB17N80
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	177 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	800 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	227W (Tc)
Outros nomes	SPB17N80C3INCT SPB17N80C3ATMA1DKR SP000013370 SPB17N80C3XTINCT SPB17N80C3INTR-NDR SPB17N80C3INTR SPB17N80C3ATMA1TR SPB17N80C3XTINCT-ND SPB17N80C3XT SPB17N80C3 SPB17N80C3INDKR SPB17N80C3INDKR-ND SPB17N80C3XTINTR SPB17N80C3ATMA1CT SPB17N80C3INCT-NDR SPB17N80C3T SPB17N80C3INTR-ND SPB17N80C3XTINTR-ND SPB17N80C3INCT-ND