Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2273336-STB11NM80T4
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STB11NM80T4
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
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N-Channel 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK | |
| Número do produto base | STB11 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | MDmesh™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-4319-1-ND 497-4319-1 497-4319-2 497-4319-1-NDR 497-4319-6 -1138-STB11NM80T4CT -1138-STB11NM80T4DKR 497-STB11NM80T4TR 497-4319-2-NDR 497-STB11NM80T4DKR 497-4319-6-ND 497-STB11NM80T4CT 497-4319-2-ND -1138-STB11NM80T4TR |
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