IPD80R280P7ATMA1

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MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Número da pe?a NOVA:

312-2280503-IPD80R280P7ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD80R280P7ATMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	IPD80R280
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 360µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Recurso FET	Super Junction
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	800 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 500 V
Dissipação de energia (máx.)	101W (Tc)
Outros nomes	IPD80R280P7ATMA1TR INFINFIPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1CT IPD80R280P7ATMA1DKR SP001422596 2156-IPD80R280P7ATMA1