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N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
Número do produto base | SPD04N80 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | CoolMOS™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 800 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) | |
Outros nomes | SPD04N80C3ATMA1TR SPD04N80C3ATMA1DKR SP001117768 SPD04N80C3ATMA1CT |
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