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N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
Número do produto base | PSMN102 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | TrenchMOS™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 21.5A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 12A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30.7 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | SC-100, SOT-669 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1568 pF @ 30 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 113W (Tc) | |
Outros nomes | 1727-5227-6 568-6544-2-ND 568-6544-1-ND 1727-5227-2 PSMN102-200Y T/R-ND 1727-5227-1 PSMN102200Y115 568-6544-6-ND PSMN102-200Y,115-ND 568-6544-6 PSMN102-200Y T/R 568-6544-2 568-6544-1 934061323115 |
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