PSMN102-200Y,115

MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Número da pe?a NOVA:
312-2272570-PSMN102-200Y,115
Número da pe?a do fabricante:
PSMN102-200Y,115
Embalagem padr?o:
1,500

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N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8

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CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteNexperia USA Inc.
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
Número do produto base PSMN102
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 21.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.7 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoSC-100, SOT-669
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1568 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.) 113W (Tc)
Outros nomes1727-5227-6
568-6544-2-ND
568-6544-1-ND
1727-5227-2
PSMN102-200Y T/R-ND
1727-5227-1
PSMN102200Y115
568-6544-6-ND
PSMN102-200Y,115-ND
568-6544-6
PSMN102-200Y T/R
568-6544-2
568-6544-1
934061323115

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