BSC900N20NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8

Número da pe?a NOVA:

312-2263206-BSC900N20NS3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC900N20NS3GATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-5
Número do produto base	BSC900
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	15.2A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 30µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.6 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	62.5W (Tc)
Outros nomes	BSC900N20NS3GATMA1TR BSC900N20NS3GTR BSC900N20NS3GTR-ND BSC900N20NS3GCT-ND BSC900N20NS3GCT BSC900N20NS3GATMA1CT BSC900N20NS3 G SP000781780 BSC900N20NS3GATMA1DKR BSC900N20NS3GDKR BSC900N20NS3G BSC900N20NS3GDKR-ND