SI2309CDS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3

Número da pe?a NOVA:

312-2280683-SI2309CDS-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI2309CDS-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base	SI2309
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	345mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.1 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
Outros nomes	SI2309CDS-T1-GE3TR SI2309CDS-T1-GE3-ND SI2309CDS-T1-GE3DKR SI2309CDST1GE3 SI2309CDS-T1-GE3CT