AIMW120R035M1HXKSA1

1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2289965-AIMW120R035M1HXKSA1
Número da pe?a do fabricante:
AIMW120R035M1HXKSA1
Embalagem padr?o:
30

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N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteInfineon Technologies
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-TO247-3-41
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
SeriesAutomotive, AEC-Q101, CoolSiC™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 52A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 10mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 18 V
Recurso FETDepletion Mode
Pacote / EstojoTO-247-3
Vgs (Máx.)+23V, -7V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2130 pF @ 800 V
Dissipação de energia (máx.) 228W (Tc)
Outros nomes448-AIMW120R035M1HXKSA1
SP005417579

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