TPH1110FNH,L1Q

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MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP

Número da pe?a NOVA:

312-2273100-TPH1110FNH,L1Q

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

TPH1110FNH,L1Q

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOP Advance (5x5)
Número do produto base	TPH1110
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	U-MOSVIII-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 300µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	250 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	1.6W (Ta), 57W (Tc)
Outros nomes	TPH1110FNH,L1QDKR-ND TPH1110FNHL1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNH,L1QDKR TPH1110FNH,L1Q(M TPH1110FNHL1QTR TPH1110FNH,L1QTR-ND TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QTR TPH1110FNHL1QDKR