SISS98DN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2280341-SISS98DN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SISS98DN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 200 V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8
Número do produto base	SISS98
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	ThunderFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	14.1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 7.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	608 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	57W (Tc)
Outros nomes	SISS98DN-T1-GE3DKR SISS98DN-T1-GE3CT SISS98DN-T1-GE3TR