SPD09P06PLGBTMA1

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MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2280332-SPD09P06PLGBTMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SPD09P06PLGBTMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	SPD09P06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	SIPMOS®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	9.7A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	42W (Tc)
Outros nomes	SPD09P06PLG SPD09P06PL GCT-ND SPD09P06PL G-ND SPD09P06PL GDKR-ND SPD09P06PL GCT SPD09P06PL G SPD09P06PL GTR-ND SPD09P06PL GDKR SP000443928 SPD09P06PLGBTMA1CT SPD09P06PLGBTMA1TR SPD09P06PLGBTMA1DKR