SPD18P06PGBTMA1

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MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2361603-SPD18P06PGBTMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SPD18P06PGBTMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	SPD18P06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	SIPMOS®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	18.6A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	860 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	80W (Tc)
Outros nomes	SPD18P06P G SPD18P06P G-ND SPD18P06P GTR-ND SPD18P06P GCT-ND SPD18P06P GDKR-ND SPD18P06PGBTMA1DKR SPD18P06P GDKR SPD18P06PGBTMA1CT SPD18P06P GCT SPD18P06PG SPD18P06PGBTMA1TR SP000443926