SPD08P06PGBTMA1

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MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2282632-SPD08P06PGBTMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SPD08P06PGBTMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	SPD08P06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	SIPMOS®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.83A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	42W (Tc)
Outros nomes	SPD08P06PGBTMA1DKR SPD08P06PGINDKRINACTIVE SPD08P06PGINCT SP000096087 SPD08P06PG 2156-SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1CT SPD08P06PGINDKR SPD08P06PGINTR-ND SPD08P06P G INFINFSPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGINCT-ND SP000450534 SPD08P06PGINTR SPD08P06PGXT SPD08P06PGINDKR-ND SPD08P06PGINTRINACTIVE SPD08P06P G-ND SPD08P06PGBTMA1TR SPD08P06PGINCTINACTIVE