BSC16DN25NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

Número da pe?a NOVA:

312-2282044-BSC16DN25NS3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC16DN25NS3GATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-5
Número do produto base	BSC16DN25
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10.9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 32µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.4 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	250 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	920 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	62.5W (Tc)
Outros nomes	BSC16DN25NS3GTR-ND BSC16DN25NS3GDKR BSC16DN25NS3GATMA1DKR BSC16DN25NS3GATMA1TR BSC16DN25NS3GCT BSC16DN25NS3GTR SP000781782 BSC16DN25NS3GATMA1CT BSC16DN25NS3GCT-ND BSC16DN25NS3G BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GDKR-ND