BSC098N10NS5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 60A TDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2282827-BSC098N10NS5ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC098N10NS5ATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 60A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-7
Número do produto base	BSC098
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 36µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Outros nomes	BSC098N10NS5ATMA1CT BSC098N10NS5ATMA1DKR BSC098N10NS5ATMA1TR SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1-ND