Por favor, preencha suas informa??es no formulário e entraremos em contato o mais breve possível e forneceremos o modelo cad.
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TSDSON-8 | |
Número do produto base | BSZ12DN20 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | OptiMOS™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 100 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) | |
Outros nomes | 2156-BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1DKR BSZ12DN20NS3GATMA1TR BSZ12DN20NS3GCT IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GDKR SP000781784 BSZ12DN20NS3GATMA1CT BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3GTR BSZ12DN20NS3 G BSZ12DN20NS3GTR-ND BSZ12DN20NS3GCT-ND BSZ12DN20NS3GDKR-ND |
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.