EPC2100

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Número da pe?a NOVA:
303-2248134-EPC2100
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
EPC2100
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:

Formato de download disponível

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteEPC
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor Die
Pacote / EstojoDie
SerieseGaN®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Recurso FETGaNFET (Gallium Nitride)
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potência - Máx. -
Outros nomes917-1180-6
917-1180-1
917-1180-2

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