EPC2111

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Número da pe?a NOVA:

303-2243243-EPC2111

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

EPC2111

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	EPC
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	Die
Pacote / Estojo	Die
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Recurso FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potência - Máx.	-
Outros nomes	917-1174-6 917-1174-2 917-1174-1

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