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N-Channel 100 V 18A (Ta) - Surface Mount Die
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | EPC | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
Número do produto base | EPC2016 | |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Series | eGaN® | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 18A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | Die | |
Vgs (Máx.) | +6V, -4V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 50 V | |
Dissipação de energia (máx.) | - | |
Outros nomes | 917-1080-1 917-1080-2 917-1080-6 |
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