アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
NOVA部品番号:
312-2281837-TPN2R304PL,L1Q
製造メーカー部品番号:
TPN2R304PL,L1Q
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | 175°C | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| 基本製品番号 | TPN2R304 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSIX-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.3mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.4V @ 0.3mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 41 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3600 pF @ 20 V | |
| 消費電力(最大) | 630mW (Ta), 104W (Tc) | |
| その他の名前 | TPN2R304PLL1QTR TPN2R304PLL1QCT TPN2R304PL,L1Q(M TPN2R304PLL1QDKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
XPN3R804NC,L1XHQToshiba Semiconductor and Storage
MIC5330-SSYML-TRMicrochip Technology
TPN3R704PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPHR8504PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
UCC27211DPRTTexas Instruments
TPN2R203NC,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPN1R603PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
